MOSFET IRFHS9351PBF N-Channel
MOSFET N-Channel — Encapsulado PQFN2X2 — Vds=30V, Id=2.3A, RDSon=0.17Ω, 1.4W
Parametros principales
| Package | PQFN2X2 |
| tr - Rise Time | 30 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 39 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 2.3 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 1.4 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.17 Ohm |
¿Que es el IRFHS9351PBF?
El IRFHS9351PBF es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado PQFN2X2. Soporta hasta 30V entre drain y source con una corriente maxima de 2.3A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.17 Ohm.
Los MOSFET como el IRFHS9351PBF se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el IRFHS9351PBF
¿Que tipo de transistor es el IRFHS9351PBF?
El IRFHS9351PBF es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado PQFN2X2. Sus parametros principales son: Vds=30V, Id=2.3A, RDSon=0.17Ω, 1.4W.
¿Cual es el voltaje maximo del IRFHS9351PBF?
El IRFHS9351PBF soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el IRFHS9351PBF?
El IRFHS9351PBF viene en encapsulado PQFN2X2. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el IRFHS9351PBF?
El IRFHS9351PBF se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
¿Es gratis consultar los datos del IRFHS9351PBF?
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