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MOS
FET

MOSFET IRFSZ40 N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado TO220F — Vds=50V, Id=28A, RDSon=0.028Ω, 48W

MOSFET N-Channel TO220F 48.000 W

Parametros principales

Vds Max 50 V

Id Max 28 A

RDSon 0.028 Ω

Potencia 48 W

Tj Max 150 °C

Especificaciones completas ▼

Package	TO220F
Type of Control Channel	N-Channel
\|Id\| - Maximum Drain Current	28 A
Pd - Maximum Power Dissipation	48 W
Tj - Maximum Junction Temperature	150 °C
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	50 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.028 Ohm

¿Que es el IRFSZ40?

El IRFSZ40 es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado TO220F. Soporta hasta 50V entre drain y source con una corriente maxima de 28A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.028 Ohm.

Los MOSFET como el IRFSZ40 se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

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Preguntas frecuentes sobre el IRFSZ40

¿Que tipo de transistor es el IRFSZ40?

El IRFSZ40 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO220F. Sus parametros principales son: Vds=50V, Id=28A, RDSon=0.028Ω, 48W.

¿Cual es el voltaje maximo del IRFSZ40?

El IRFSZ40 soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 50V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el IRFSZ40?

El IRFSZ40 viene en encapsulado TO220F. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el IRFSZ40?

El IRFSZ40 se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del IRFSZ40?

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