MOSFET IRHLUBC7970Z4 P-Channel
MOSFET P-Channel — Encapsulado UB — Vds=60V, Id=0.53A, RDSon=1.4Ω, 0.57W
Parametros principales
| Package | UB |
| tr - Rise Time | 22 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 43 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 0.53 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.57 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 10 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 1.4 Ohm |
¿Que es el IRHLUBC7970Z4?
El IRHLUBC7970Z4 es un transistor MOSFET de canal P-Channel en encapsulado UB. Soporta hasta 60V entre drain y source con una corriente maxima de 0.53A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 1.4 Ohm.
Los MOSFET como el IRHLUBC7970Z4 se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el IRHLUBC7970Z4
¿Que tipo de transistor es el IRHLUBC7970Z4?
El IRHLUBC7970Z4 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado UB. Sus parametros principales son: Vds=60V, Id=0.53A, RDSon=1.4Ω, 0.57W.
¿Cual es el voltaje maximo del IRHLUBC7970Z4?
El IRHLUBC7970Z4 soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 10V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el IRHLUBC7970Z4?
El IRHLUBC7970Z4 viene en encapsulado UB. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el IRHLUBC7970Z4?
El IRHLUBC7970Z4 se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
¿Es gratis consultar los datos del IRHLUBC7970Z4?
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