MOSFET IRHNA67160 N-Channel
MOSFET N-Channel — Encapsulado SMD-2 — Vds=100V, Id=56A, RDSon=0.01Ω, 250W
Parametros principales
| Package | SMD-2 |
| tr - Rise Time | 75 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 1600 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 56 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 250 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.01 Ohm |
¿Que es el IRHNA67160?
El IRHNA67160 es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado SMD-2. Soporta hasta 100V entre drain y source con una corriente maxima de 56A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.01 Ohm.
Los MOSFET como el IRHNA67160 se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el IRHNA67160
¿Que tipo de transistor es el IRHNA67160?
El IRHNA67160 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SMD-2. Sus parametros principales son: Vds=100V, Id=56A, RDSon=0.01Ω, 250W.
¿Cual es el voltaje maximo del IRHNA67160?
El IRHNA67160 soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el IRHNA67160?
El IRHNA67160 viene en encapsulado SMD-2. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el IRHNA67160?
El IRHNA67160 se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
¿Es gratis consultar los datos del IRHNA67160?
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