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MOS
FET

MOSFET IRLW530A N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado TO263 — Vds=100V, Id=14A, RDSon=0.12Ω, 62W

MOSFET N-Channel TO263 62.000 W

Parametros principales

Vds Max 100 V

Id Max 14 A

RDSon 0.12 Ω

Vgs Max 20 V

Potencia 62 W

Tj Max 175 °C

Especificaciones completas ▼

Package	TO263
tr - Rise Time	11 nS
Type of Control Channel	N-Channel
Coss - Output Capacitance	140 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	14 A
Pd - Maximum Power Dissipation	62 W
Tj - Maximum Junction Temperature	175 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	20 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	100 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.12 Ohm

¿Que es el IRLW530A?

El IRLW530A es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado TO263. Soporta hasta 100V entre drain y source con una corriente maxima de 14A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.12 Ohm.

Los MOSFET como el IRLW530A se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

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Preguntas frecuentes sobre el IRLW530A

¿Que tipo de transistor es el IRLW530A?

El IRLW530A es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO263. Sus parametros principales son: Vds=100V, Id=14A, RDSon=0.12Ω, 62W.

¿Cual es el voltaje maximo del IRLW530A?

El IRLW530A soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el IRLW530A?

El IRLW530A viene en encapsulado TO263. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el IRLW530A?

El IRLW530A se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del IRLW530A?

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