MOSFET IXFH50N85X N-Channel
MOSFET N-Channel — Encapsulado TO247 — Vds=850V, Id=50A, RDSon=0.105Ω, 890W
Parametros principales
| Package | TO247 |
| tr - Rise Time | 30 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 4863 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 50 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 890 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 850 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.105 Ohm |
¿Que es el IXFH50N85X?
El IXFH50N85X es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado TO247. Soporta hasta 850V entre drain y source con una corriente maxima de 50A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.105 Ohm.
Los MOSFET como el IXFH50N85X se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el IXFH50N85X
¿Que tipo de transistor es el IXFH50N85X?
El IXFH50N85X es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO247. Sus parametros principales son: Vds=850V, Id=50A, RDSon=0.105Ω, 890W.
¿Cual es el voltaje maximo del IXFH50N85X?
El IXFH50N85X soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 850V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 30V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el IXFH50N85X?
El IXFH50N85X viene en encapsulado TO247. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el IXFH50N85X?
El IXFH50N85X se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
¿Es gratis consultar los datos del IXFH50N85X?
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