Toda la info tecnica en InfoSquad es 100% gratis. — Parametros, equivalentes, datasheets y mas de 33.000 archivos sin costo.
MOS
FET

MOSFET IXFN200N10P N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado SOT227B — Vds=100V, Id=200A, RDSon=0.0075Ω, 680W

MOSFET N-Channel SOT227B 680.000 W

Parametros principales

Vds Max 100 V
Id Max 200 A
RDSon 0.0075 Ω
Vgs Max 20 V
Potencia 680 W
Tj Max 175 °C
Especificaciones completas
Package SOT227B
tr - Rise Time 150 nS
Type of Control Channel N-Channel
|Id| - Maximum Drain Current 200 A
Pd - Maximum Power Dissipation 680 W
Tj - Maximum Junction Temperature 175 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 20 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 100 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 0.0075 Ohm

¿Que es el IXFN200N10P?

El IXFN200N10P es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado SOT227B. Soporta hasta 100V entre drain y source con una corriente maxima de 200A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.0075 Ohm.

Los MOSFET como el IXFN200N10P se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

Si necesitas comparar parametros con los equivalentes, usa nuestro comparador lado a lado. Tambien podes explorar todos los transistores MOSFET disponibles.

Registrate gratis y accede a todo

BIOS, schematics, boardviews, cursos y foro. Todo sin costo, sin trucos.

+33.000 archivos Cursos gratis Foro de tecnicos
Crear cuenta gratis
🔓 ¿Por que es gratis de verdad?
Somos un servicio tecnico real con +20 años de experiencia en reparacion electronica.
Estos datos los usamos en nuestro taller. Los compartimos porque a nosotros tambien nos ayudaron.
No hay plan premium, ni creditos, ni monedas virtuales. Cero trucos.
Nuestro ingreso es la reparacion de equipos, no tu suscripcion.
Servicio tecnico especializado

¿Necesitas que lo reparemos nosotros?

Si preferis que un profesional se encargue, hacemos reparacion a nivel de componentes: micro-soldadura, reballing, cambio de chips, recuperacion de equipos que no encienden.

Notebooks y MacBooks Micro-soldadura SMD Envios a todo el pais +20 años de experiencia
Consultar por WhatsApp →
🔧

Preguntas frecuentes sobre el IXFN200N10P

¿Con que transistor puedo reemplazar el IXFN200N10P?

Los reemplazos compatibles para el IXFN200N10P incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, HY1906P, IXFN132N50P3, IXFN140N20P, y 14 mas. Verifica que los parametros clave (voltaje, corriente, encapsulado) sean compatibles con tu circuito antes de sustituir.

¿Que tipo de transistor es el IXFN200N10P?

El IXFN200N10P es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOT227B. Sus parametros principales son: Vds=100V, Id=200A, RDSon=0.0075Ω, 680W.

¿Cual es el voltaje maximo del IXFN200N10P?

El IXFN200N10P soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el IXFN200N10P?

El IXFN200N10P viene en encapsulado SOT227B. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el IXFN200N10P?

El IXFN200N10P se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del IXFN200N10P?

Si, toda la informacion tecnica en Academia InfoSquad es 100% gratuita. Parametros, equivalentes y datasheets sin costo ni registro obligatorio. Si te registras (tambien gratis), accedes a mas de 33.000 archivos de BIOS, schematics y boardviews.

Scroll al inicio