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MOS
FET

MOSFET IXTD110N25T-8W N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado DIE — Vds=250V, Id=110A, RDSon=0.024Ω, 100W

MOSFET N-Channel DIE 100.000 W

Parametros principales

Vds Max 250 V

Id Max 110 A

RDSon 0.024 Ω

Potencia 100 W

Especificaciones completas ▼

Package	DIE
Type of Control Channel	N-Channel
\|Id\| - Maximum Drain Current	110 A
Pd - Maximum Power Dissipation	100 W
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	250 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.024 Ohm

Transistores equivalentes y compatibles

Los siguientes transistores pueden usarse como reemplazo del IXTD110N25T-8W:

2SK701 MOSFET N-Channel 2SK702 MOSFET N-Channel 2SK703 MOSFET N-Channel 2SK704 MOSFET N-Channel 2SK705 MOSFET N-Channel 2SK709 MOSFET N-Channel 2SK711 MOSFET N-Channel 8N60 MOSFET N-Channel IXTC240N055T MOSFET N-Channel IXTC250N075T MOSFET N-Channel IXTC26N50P MOSFET N-Channel IXTC280N055T MOSFET N-Channel IXTC62N15P MOSFET N-Channel IXTC75N10 MOSFET N-Channel IXTC96N25T MOSFET N-Channel IXTE250N10 MOSFET N-Channel IXTF03N400 MOSFET N-Channel IXTF1N250 MOSFET N-Channel IXTF1N400 MOSFET N-Channel IXTF200N10T MOSFET N-Channel IXTF230N085T MOSFET N-Channel IXTF250N075T MOSFET N-Channel IXTF280N055T MOSFET N-Channel

¿Que es el IXTD110N25T-8W?

El IXTD110N25T-8W es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado DIE. Soporta hasta 250V entre drain y source con una corriente maxima de 110A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.024 Ohm.

Los MOSFET como el IXTD110N25T-8W se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

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Preguntas frecuentes sobre el IXTD110N25T-8W

¿Con que transistor puedo reemplazar el IXTD110N25T-8W?

Los reemplazos compatibles para el IXTD110N25T-8W incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, 8N60, IXTC240N055T, IXTC250N075T, y 13 mas. Verifica que los parametros clave (voltaje, corriente, encapsulado) sean compatibles con tu circuito antes de sustituir.

¿Que tipo de transistor es el IXTD110N25T-8W?

El IXTD110N25T-8W es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado DIE. Sus parametros principales son: Vds=250V, Id=110A, RDSon=0.024Ω, 100W.

¿Cual es el voltaje maximo del IXTD110N25T-8W?

El IXTD110N25T-8W soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 250V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el IXTD110N25T-8W?

El IXTD110N25T-8W viene en encapsulado DIE. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el IXTD110N25T-8W?

El IXTD110N25T-8W se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del IXTD110N25T-8W?

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