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MOS
FET

MOSFET IXTH33N45 N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado TO247 — Vds=450V, Id=33A, RDSon=0.16Ω, 190W

MOSFET N-Channel TO247 190.000 W

Parametros principales

Vds Max 450 V

Id Max 33 A

RDSon 0.16 Ω

Potencia 190 W

Tj Max 150 °C

Especificaciones completas ▼

Package	TO247
Type of Control Channel	N-Channel
\|Id\| - Maximum Drain Current	33 A
Pd - Maximum Power Dissipation	190 W
Tj - Maximum Junction Temperature	150 °C
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	450 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.16 Ohm

¿Que es el IXTH33N45?

El IXTH33N45 es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado TO247. Soporta hasta 450V entre drain y source con una corriente maxima de 33A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.16 Ohm.

Los MOSFET como el IXTH33N45 se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

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Preguntas frecuentes sobre el IXTH33N45

¿Que tipo de transistor es el IXTH33N45?

El IXTH33N45 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO247. Sus parametros principales son: Vds=450V, Id=33A, RDSon=0.16Ω, 190W.

¿Cual es el voltaje maximo del IXTH33N45?

El IXTH33N45 soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 450V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el IXTH33N45?

El IXTH33N45 viene en encapsulado TO247. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el IXTH33N45?

El IXTH33N45 se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del IXTH33N45?

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