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MOS
FET

MOSFET IXTT02N450HV N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado TO-268 — Vds=4,500V, Id=0.2A, RDSon=750Ω, 113W

MOSFET N-Channel TO-268 113.000 W

Parametros principales

Vds Max 4,500 V

Id Max 0.2 A

RDSon 750 Ω

Vgs Max 20 V

Potencia 113 W

Tj Max 150 °C

Especificaciones completas ▼

Package	TO-268
tr - Rise Time	48 nS
Type of Control Channel	N-Channel
Coss - Output Capacitance	19 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	0.2 A
Pd - Maximum Power Dissipation	113 W
Tj - Maximum Junction Temperature	150 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	20 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	4500 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	750 Ohm

Transistores equivalentes y compatibles

Los siguientes transistores pueden usarse como reemplazo del IXTT02N450HV:

2SK701 MOSFET N-Channel 2SK702 MOSFET N-Channel 2SK703 MOSFET N-Channel 2SK704 MOSFET N-Channel 2SK705 MOSFET N-Channel 2SK709 MOSFET N-Channel 2SK711 MOSFET N-Channel IXTQ180N055T MOSFET N-Channel IXTQ32N65X MOSFET N-Channel IXTQ80N28T MOSFET N-Channel IXTR102N65X2 MOSFET N-Channel IXTT12N150 MOSFET N-Channel IXTT12N150HV MOSFET N-Channel IXTT1N250HV MOSFET N-Channel IXTT1N300P3HV MOSFET N-Channel IXTT1N450HV MOSFET N-Channel IXTT2N170D2 MOSFET N-Channel IXTT2N300P3HV MOSFET N-Channel

¿Que es el IXTT02N450HV?

El IXTT02N450HV es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado TO-268. Soporta hasta 4,500V entre drain y source con una corriente maxima de 0.2A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 750 Ohm.

Los MOSFET como el IXTT02N450HV se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

Si necesitas comparar parametros con los equivalentes, usa nuestro comparador lado a lado. Tambien podes explorar todos los transistores MOSFET disponibles.

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Preguntas frecuentes sobre el IXTT02N450HV

¿Con que transistor puedo reemplazar el IXTT02N450HV?

Los reemplazos compatibles para el IXTT02N450HV incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, IXTQ180N055T, IXTQ32N65X, IXTQ80N28T, y 8 mas. Verifica que los parametros clave (voltaje, corriente, encapsulado) sean compatibles con tu circuito antes de sustituir.

¿Que tipo de transistor es el IXTT02N450HV?

El IXTT02N450HV es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-268. Sus parametros principales son: Vds=4,500V, Id=0.2A, RDSon=750Ω, 113W.

¿Cual es el voltaje maximo del IXTT02N450HV?

El IXTT02N450HV soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 4,500V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el IXTT02N450HV?

El IXTT02N450HV viene en encapsulado TO-268. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el IXTT02N450HV?

El IXTT02N450HV se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del IXTT02N450HV?

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