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MOS
FET

MOSFET IXTZ67N10MB N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado ZPAK — Vds=100V, Id=67A, RDSon=0.03Ω, 300W

MOSFET N-Channel ZPAK 300.000 W

Parametros principales

Vds Max 100 V

Id Max 67 A

RDSon 0.03 Ω

Vgs Max 20 V

Potencia 300 W

Tj Max 150 °C

Especificaciones completas ▼

Package	ZPAK
Type of Control Channel	N-Channel
\|Id\| - Maximum Drain Current	67 A
Pd - Maximum Power Dissipation	300 W
Tj - Maximum Junction Temperature	150 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	20 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	100 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.03 Ohm

¿Que es el IXTZ67N10MB?

El IXTZ67N10MB es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado ZPAK. Soporta hasta 100V entre drain y source con una corriente maxima de 67A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.03 Ohm.

Los MOSFET como el IXTZ67N10MB se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

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Preguntas frecuentes sobre el IXTZ67N10MB

¿Que tipo de transistor es el IXTZ67N10MB?

El IXTZ67N10MB es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado ZPAK. Sus parametros principales son: Vds=100V, Id=67A, RDSon=0.03Ω, 300W.

¿Cual es el voltaje maximo del IXTZ67N10MB?

El IXTZ67N10MB soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el IXTZ67N10MB?

El IXTZ67N10MB viene en encapsulado ZPAK. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el IXTZ67N10MB?

El IXTZ67N10MB se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del IXTZ67N10MB?

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