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MOS
FET

MOSFET JBE083NS N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado TO263 — Vds=80V, Id=133A, RDSon=0.0075Ω, 252.2W

MOSFET N-Channel TO263 252.200 W

Parametros principales

Vds Max 80 V

Id Max 133 A

RDSon 0.0075 Ω

Vgs Max 20 V

Potencia 252.2 W

Tj Max 150 °C

Especificaciones completas ▼

Package	TO263
tr - Rise Time	32 nS
Type of Control Channel	N-Channel
Coss - Output Capacitance	1565 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	133 A
Pd - Maximum Power Dissipation	252.2 W
Tj - Maximum Junction Temperature	150 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	20 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	80 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.0075 Ohm

Transistores equivalentes y compatibles

Los siguientes transistores pueden usarse como reemplazo del JBE083NS:

¿Que es el JBE083NS?

El JBE083NS es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado TO263. Soporta hasta 80V entre drain y source con una corriente maxima de 133A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.0075 Ohm.

Los MOSFET como el JBE083NS se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

Si necesitas comparar parametros con los equivalentes, usa nuestro comparador lado a lado. Tambien podes explorar todos los transistores MOSFET disponibles.

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Preguntas frecuentes sobre el JBE083NS

¿Con que transistor puedo reemplazar el JBE083NS?

Los reemplazos compatibles para el JBE083NS incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, 7N60, JBE083M, JBE084M, y 14 mas. Verifica que los parametros clave (voltaje, corriente, encapsulado) sean compatibles con tu circuito antes de sustituir.

¿Que tipo de transistor es el JBE083NS?

El JBE083NS es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO263. Sus parametros principales son: Vds=80V, Id=133A, RDSon=0.0075Ω, 252.2W.

¿Cual es el voltaje maximo del JBE083NS?

El JBE083NS soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 80V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el JBE083NS?

El JBE083NS viene en encapsulado TO263. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el JBE083NS?

El JBE083NS se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del JBE083NS?

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