MOSFET JCS50N20ABT N-Channel
MOSFET N-Channel — Encapsulado TO-3PB — Vds=200V, Id=50A, RDSon=0.05Ω, 277W
Parametros principales
| Package | TO-3PB |
| tr - Rise Time | 501 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 672 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 50 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 277 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 200 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.05 Ohm |
¿Que es el JCS50N20ABT?
El JCS50N20ABT es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado TO-3PB. Soporta hasta 200V entre drain y source con una corriente maxima de 50A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.05 Ohm.
Los MOSFET como el JCS50N20ABT se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el JCS50N20ABT
¿Que tipo de transistor es el JCS50N20ABT?
El JCS50N20ABT es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-3PB. Sus parametros principales son: Vds=200V, Id=50A, RDSon=0.05Ω, 277W.
¿Cual es el voltaje maximo del JCS50N20ABT?
El JCS50N20ABT soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 200V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 30V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el JCS50N20ABT?
El JCS50N20ABT viene en encapsulado TO-3PB. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el JCS50N20ABT?
El JCS50N20ABT se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
¿Es gratis consultar los datos del JCS50N20ABT?
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