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MOS
FET

MOSFET JMSH1004BEQ N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado TO263 — Vds=100V, Id=160A, RDSon=0.0042Ω, 231W

MOSFET N-Channel TO263 231.000 W

Parametros principales

Vds Max 100 V

Id Max 160 A

RDSon 0.0042 Ω

Vgs Max 20 V

Potencia 231 W

Tj Max 175 °C

Especificaciones completas ▼

Package	TO263
tr - Rise Time	34 nS
Type of Control Channel	N-Channel
Coss - Output Capacitance	905 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	160 A
Pd - Maximum Power Dissipation	231 W
Tj - Maximum Junction Temperature	175 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	20 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	100 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.0042 Ohm

Transistores equivalentes y compatibles

Los siguientes transistores pueden usarse como reemplazo del JMSH1004BEQ:

¿Que es el JMSH1004BEQ?

El JMSH1004BEQ es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado TO263. Soporta hasta 100V entre drain y source con una corriente maxima de 160A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.0042 Ohm.

Los MOSFET como el JMSH1004BEQ se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

Si necesitas comparar parametros con los equivalentes, usa nuestro comparador lado a lado. Tambien podes explorar todos los transistores MOSFET disponibles.

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Preguntas frecuentes sobre el JMSH1004BEQ

¿Con que transistor puedo reemplazar el JMSH1004BEQ?

Los reemplazos compatibles para el JMSH1004BEQ incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, HY1906P, JMPC7N65BJ, JMPC840BJ, y 14 mas. Verifica que los parametros clave (voltaje, corriente, encapsulado) sean compatibles con tu circuito antes de sustituir.

¿Que tipo de transistor es el JMSH1004BEQ?

El JMSH1004BEQ es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO263. Sus parametros principales son: Vds=100V, Id=160A, RDSon=0.0042Ω, 231W.

¿Cual es el voltaje maximo del JMSH1004BEQ?

El JMSH1004BEQ soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el JMSH1004BEQ?

El JMSH1004BEQ viene en encapsulado TO263. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el JMSH1004BEQ?

El JMSH1004BEQ se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del JMSH1004BEQ?

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