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MOS
FET

MOSFET KP979VC N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado KT-82 — Vds=120V, Id=40A, 460W

MOSFET N-Channel KT-82 460.000 W

Parametros principales

Vds Max 120 V

Id Max 40 A

Vgs Max 40 V

Potencia 460 W

Tj Max 200 °C

Especificaciones completas ▼

Package	KT-82
Type of Control Channel	N-Channel
Coss - Output Capacitance	180 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	40 A
Pd - Maximum Power Dissipation	460 W
Tj - Maximum Junction Temperature	200 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	40 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	120 V

¿Que es el KP979VC?

El KP979VC es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado KT-82. Soporta hasta 120V entre drain y source con una corriente maxima de 40A.

Los MOSFET como el KP979VC se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

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Preguntas frecuentes sobre el KP979VC

¿Que tipo de transistor es el KP979VC?

El KP979VC es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado KT-82. Sus parametros principales son: Vds=120V, Id=40A, 460W.

¿Cual es el voltaje maximo del KP979VC?

El KP979VC soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 120V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 40V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el KP979VC?

El KP979VC viene en encapsulado KT-82. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el KP979VC?

El KP979VC se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del KP979VC?

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