MOSFET KTHD3100C NP-Channel
MOSFET NP-Channel — Encapsulado CHIPFET — Vds=20V, Id=2.9A, RDSon=0.08Ω, 1.1W
Parametros principales
| Package | CHIPFET |
| tr - Rise Time | 10.7 nS |
| Type of Control Channel | NP-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 80 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 2.9 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 1.1 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 12 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 20 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.08 Ohm |
¿Que es el KTHD3100C?
El KTHD3100C es un transistor MOSFET de canal NP-Channel en encapsulado CHIPFET. Soporta hasta 20V entre drain y source con una corriente maxima de 2.9A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.08 Ohm.
Los MOSFET como el KTHD3100C se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el KTHD3100C
¿Que tipo de transistor es el KTHD3100C?
El KTHD3100C es un transistor MOSFET NP-Channel en encapsulado CHIPFET. Sus parametros principales son: Vds=20V, Id=2.9A, RDSon=0.08Ω, 1.1W.
¿Cual es el voltaje maximo del KTHD3100C?
El KTHD3100C soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 20V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 12V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el KTHD3100C?
El KTHD3100C viene en encapsulado CHIPFET. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el KTHD3100C?
El KTHD3100C se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
¿Es gratis consultar los datos del KTHD3100C?
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