MOSFET KTS1C1S250 NP-Channel
MOSFET NP-Channel — Encapsulado SOP-8 — Vds=250V, Id=0.75A, RDSon=1.4Ω, 1.6W
Parametros principales
| Package | SOP-8 |
| tr - Rise Time | 11 nS |
| Type of Control Channel | NP-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 51 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 0.75 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 1.6 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 25 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 250 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 1.4 Ohm |
¿Que es el KTS1C1S250?
El KTS1C1S250 es un transistor MOSFET de canal NP-Channel en encapsulado SOP-8. Soporta hasta 250V entre drain y source con una corriente maxima de 0.75A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 1.4 Ohm.
Los MOSFET como el KTS1C1S250 se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el KTS1C1S250
¿Que tipo de transistor es el KTS1C1S250?
El KTS1C1S250 es un transistor MOSFET NP-Channel en encapsulado SOP-8. Sus parametros principales son: Vds=250V, Id=0.75A, RDSon=1.4Ω, 1.6W.
¿Cual es el voltaje maximo del KTS1C1S250?
El KTS1C1S250 soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 250V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 25V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el KTS1C1S250?
El KTS1C1S250 viene en encapsulado SOP-8. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el KTS1C1S250?
El KTS1C1S250 se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
¿Es gratis consultar los datos del KTS1C1S250?
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