MOSFET LP2501DT1G P-Channel
MOSFET P-Channel — Encapsulado DFN2020-6S — Vds=20V, Id=4A, RDSon=0.11Ω, 0.7W
Parametros principales
| Package | DFN2020-6S |
| tr - Rise Time | 30 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 46 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 4 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.7 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 8 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 20 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.11 Ohm |
¿Que es el LP2501DT1G?
El LP2501DT1G es un transistor MOSFET de canal P-Channel en encapsulado DFN2020-6S. Soporta hasta 20V entre drain y source con una corriente maxima de 4A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.11 Ohm.
Los MOSFET como el LP2501DT1G se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el LP2501DT1G
¿Que tipo de transistor es el LP2501DT1G?
El LP2501DT1G es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado DFN2020-6S. Sus parametros principales son: Vds=20V, Id=4A, RDSon=0.11Ω, 0.7W.
¿Cual es el voltaje maximo del LP2501DT1G?
El LP2501DT1G soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 20V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 8V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el LP2501DT1G?
El LP2501DT1G viene en encapsulado DFN2020-6S. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el LP2501DT1G?
El LP2501DT1G se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
¿Es gratis consultar los datos del LP2501DT1G?
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