MOSFET LS165 P-Channel
MOSFET P-Channel — Encapsulado SOIC-8 — Vds=40V, Id=0.05A, RDSon=300Ω, 0.3W
Parametros principales
| Package | SOIC-8 |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 3 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 0.05 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.3 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 40 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 300 Ohm |
¿Que es el LS165?
El LS165 es un transistor MOSFET de canal P-Channel en encapsulado SOIC-8. Soporta hasta 40V entre drain y source con una corriente maxima de 0.05A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 300 Ohm.
Los MOSFET como el LS165 se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el LS165
¿Que tipo de transistor es el LS165?
El LS165 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado SOIC-8. Sus parametros principales son: Vds=40V, Id=0.05A, RDSon=300Ω, 0.3W.
¿Cual es el voltaje maximo del LS165?
El LS165 soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 40V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el LS165?
El LS165 viene en encapsulado SOIC-8. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el LS165?
El LS165 se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
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