MOSFET LSB60R039GT N-Channel
MOSFET N-Channel — Encapsulado TO-247 — Vds=600V, Id=80A, RDSon=0.039Ω, 500W
Parametros principales
| Package | TO-247 |
| tr - Rise Time | 52 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 4800 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 80 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 500 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 600 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.039 Ohm |
¿Que es el LSB60R039GT?
El LSB60R039GT es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado TO-247. Soporta hasta 600V entre drain y source con una corriente maxima de 80A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.039 Ohm.
Los MOSFET como el LSB60R039GT se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el LSB60R039GT
¿Que tipo de transistor es el LSB60R039GT?
El LSB60R039GT es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-247. Sus parametros principales son: Vds=600V, Id=80A, RDSon=0.039Ω, 500W.
¿Cual es el voltaje maximo del LSB60R039GT?
El LSB60R039GT soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 600V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 30V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el LSB60R039GT?
El LSB60R039GT viene en encapsulado TO-247. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el LSB60R039GT?
El LSB60R039GT se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
¿Es gratis consultar los datos del LSB60R039GT?
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