MOSFET LSD60R092GF N-Channel
MOSFET N-Channel — Encapsulado TO-220F — Vds=600V, Id=40A, RDSon=0.092Ω, 35W
Parametros principales
| Package | TO-220F |
| tr - Rise Time | 43.8 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 2500 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 40 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 35 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 600 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.092 Ohm |
¿Que es el LSD60R092GF?
El LSD60R092GF es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado TO-220F. Soporta hasta 600V entre drain y source con una corriente maxima de 40A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.092 Ohm.
Los MOSFET como el LSD60R092GF se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el LSD60R092GF
¿Que tipo de transistor es el LSD60R092GF?
El LSD60R092GF es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-220F. Sus parametros principales son: Vds=600V, Id=40A, RDSon=0.092Ω, 35W.
¿Cual es el voltaje maximo del LSD60R092GF?
El LSD60R092GF soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 600V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 30V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el LSD60R092GF?
El LSD60R092GF viene en encapsulado TO-220F. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el LSD60R092GF?
El LSD60R092GF se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
¿Es gratis consultar los datos del LSD60R092GF?
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