MOSFET ME60P06T-G P-Channel
MOSFET P-Channel — Encapsulado TO-220 — Vds=60V, Id=55.3A, RDSon=0.0165Ω, 90.9W
Parametros principales
| Package | TO-220 |
| tr - Rise Time | 18.1 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 427 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 55.3 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 90.9 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 175 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.0165 Ohm |
¿Que es el ME60P06T-G?
El ME60P06T-G es un transistor MOSFET de canal P-Channel en encapsulado TO-220. Soporta hasta 60V entre drain y source con una corriente maxima de 55.3A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.0165 Ohm.
Los MOSFET como el ME60P06T-G se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el ME60P06T-G
¿Que tipo de transistor es el ME60P06T-G?
El ME60P06T-G es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TO-220. Sus parametros principales son: Vds=60V, Id=55.3A, RDSon=0.0165Ω, 90.9W.
¿Cual es el voltaje maximo del ME60P06T-G?
El ME60P06T-G soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el ME60P06T-G?
El ME60P06T-G viene en encapsulado TO-220. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el ME60P06T-G?
El ME60P06T-G se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
¿Es gratis consultar los datos del ME60P06T-G?
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