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MOS
FET

MOSFET ME70N03S N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado TO252 — Vds=30V, Id=62A, RDSon=0.0066Ω, 41W

MOSFET N-Channel TO252 41.000 W

Parametros principales

Vds Max 30 V

Id Max 62 A

RDSon 0.0066 Ω

Vgs Max 20 V

Potencia 41 W

Tj Max 150 °C

Especificaciones completas ▼

Package	TO252
tr - Rise Time	15 nS
Type of Control Channel	N-Channel
Coss - Output Capacitance	255 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	62 A
Pd - Maximum Power Dissipation	41 W
Tj - Maximum Junction Temperature	150 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	20 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	30 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.0066 Ohm

¿Que es el ME70N03S?

El ME70N03S es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado TO252. Soporta hasta 30V entre drain y source con una corriente maxima de 62A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.0066 Ohm.

Los MOSFET como el ME70N03S se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

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Preguntas frecuentes sobre el ME70N03S

¿Que tipo de transistor es el ME70N03S?

El ME70N03S es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO252. Sus parametros principales son: Vds=30V, Id=62A, RDSon=0.0066Ω, 41W.

¿Cual es el voltaje maximo del ME70N03S?

El ME70N03S soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el ME70N03S?

El ME70N03S viene en encapsulado TO252. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el ME70N03S?

El ME70N03S se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del ME70N03S?

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