MOSFET MMN200H010X N-Channel
MOSFET N-Channel — Encapsulado MODULE — Vds=100V, Id=200A, RDSon=0.0042Ω, 275W
Parametros principales
| Package | MODULE |
| tr - Rise Time | 78 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 2500 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 200 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 275 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 175 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.0042 Ohm |
¿Que es el MMN200H010X?
El MMN200H010X es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado MODULE. Soporta hasta 100V entre drain y source con una corriente maxima de 200A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.0042 Ohm.
Los MOSFET como el MMN200H010X se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el MMN200H010X
¿Que tipo de transistor es el MMN200H010X?
El MMN200H010X es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado MODULE. Sus parametros principales son: Vds=100V, Id=200A, RDSon=0.0042Ω, 275W.
¿Cual es el voltaje maximo del MMN200H010X?
El MMN200H010X soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el MMN200H010X?
El MMN200H010X viene en encapsulado MODULE. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el MMN200H010X?
El MMN200H010X se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
¿Es gratis consultar los datos del MMN200H010X?
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