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MOS
FET

MOSFET MPG55N06P N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado TO220 — Vds=60V, Id=55A, RDSon=0.014Ω, 100W

MOSFET N-Channel TO220 100.000 W

Parametros principales

Vds Max 60 V

Id Max 55 A

RDSon 0.014 Ω

Vgs Max 20 V

Potencia 100 W

Tj Max 175 °C

Especificaciones completas ▼

Package	TO220
tr - Rise Time	90 nS
Type of Control Channel	N-Channel
Coss - Output Capacitance	225 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	55 A
Pd - Maximum Power Dissipation	100 W
Tj - Maximum Junction Temperature	175 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	20 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	60 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.014 Ohm

Transistores equivalentes y compatibles

Los siguientes transistores pueden usarse como reemplazo del MPG55N06P:

2SK701 MOSFET N-Channel 2SK702 MOSFET N-Channel 2SK703 MOSFET N-Channel 2SK704 MOSFET N-Channel 2SK705 MOSFET N-Channel 2SK709 MOSFET N-Channel 2SK711 MOSFET N-Channel 4N60 MOSFET N-Channel MDT100N06 MOSFET N-Channel MPG100N03P MOSFET N-Channel MPG100N06 MOSFET N-Channel MPG160N04P MOSFET N-Channel MPG50N06P MOSFET N-Channel MPS100N06 MOSFET N-Channel MPT028N10S MOSFET N-Channel MPT042N10P MOSFET N-Channel MPT042N10S MOSFET N-Channel MPT045N08P MOSFET N-Channel MPT045N08S MOSFET N-Channel

¿Que es el MPG55N06P?

El MPG55N06P es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado TO220. Soporta hasta 60V entre drain y source con una corriente maxima de 55A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.014 Ohm.

Los MOSFET como el MPG55N06P se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

Si necesitas comparar parametros con los equivalentes, usa nuestro comparador lado a lado. Tambien podes explorar todos los transistores MOSFET disponibles.

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Preguntas frecuentes sobre el MPG55N06P

¿Con que transistor puedo reemplazar el MPG55N06P?

Los reemplazos compatibles para el MPG55N06P incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, 4N60, MDT100N06, MPG100N03P, y 9 mas. Verifica que los parametros clave (voltaje, corriente, encapsulado) sean compatibles con tu circuito antes de sustituir.

¿Que tipo de transistor es el MPG55N06P?

El MPG55N06P es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO220. Sus parametros principales son: Vds=60V, Id=55A, RDSon=0.014Ω, 100W.

¿Cual es el voltaje maximo del MPG55N06P?

El MPG55N06P soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el MPG55N06P?

El MPG55N06P viene en encapsulado TO220. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el MPG55N06P?

El MPG55N06P se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del MPG55N06P?

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