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MOS
FET

MOSFET MSJAC11N65Y-TP N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado DFN5060 — Vds=650V, Id=11A, RDSon=0.38Ω, 78W

MOSFET N-Channel DFN5060 78.000 W

Parametros principales

Vds Max 650 V

Id Max 11 A

RDSon 0.38 Ω

Vgs Max 30 V

Potencia 78 W

Tj Max 150 °C

Especificaciones completas ▼

Package	DFN5060
tr - Rise Time	20 nS
Type of Control Channel	N-Channel
Coss - Output Capacitance	50 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	11 A
Pd - Maximum Power Dissipation	78 W
Tj - Maximum Junction Temperature	150 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	30 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	650 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.38 Ohm

Transistores equivalentes y compatibles

Los siguientes transistores pueden usarse como reemplazo del MSJAC11N65Y-TP:

2SK701 MOSFET N-Channel 2SK702 MOSFET N-Channel 2SK703 MOSFET N-Channel 2SK704 MOSFET N-Channel 2SK705 MOSFET N-Channel 2SK709 MOSFET N-Channel 2SK711 MOSFET N-Channel MCAC60N08Y-TP MOSFET N-Channel MCAC75N02-TP MOSFET N-Channel MCAC80N045Y-TP MOSFET N-Channel MCG30N03-TP MOSFET N-Channel ME7114S MOSFET N-Channel ME7170 MOSFET N-Channel MEE7816S MOSFET N-Channel MSK100N03DF MOSFET N-Channel MSK50N03DF MOSFET N-Channel MSK60N03DF MOSFET N-Channel

¿Que es el MSJAC11N65Y-TP?

El MSJAC11N65Y-TP es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado DFN5060. Soporta hasta 650V entre drain y source con una corriente maxima de 11A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.38 Ohm.

Los MOSFET como el MSJAC11N65Y-TP se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

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Preguntas frecuentes sobre el MSJAC11N65Y-TP

¿Con que transistor puedo reemplazar el MSJAC11N65Y-TP?

Los reemplazos compatibles para el MSJAC11N65Y-TP incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, MCAC60N08Y-TP, MCAC75N02-TP, MCAC80N045Y-TP, y 7 mas. Verifica que los parametros clave (voltaje, corriente, encapsulado) sean compatibles con tu circuito antes de sustituir.

¿Que tipo de transistor es el MSJAC11N65Y-TP?

El MSJAC11N65Y-TP es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado DFN5060. Sus parametros principales son: Vds=650V, Id=11A, RDSon=0.38Ω, 78W.

¿Cual es el voltaje maximo del MSJAC11N65Y-TP?

El MSJAC11N65Y-TP soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 650V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 30V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el MSJAC11N65Y-TP?

El MSJAC11N65Y-TP viene en encapsulado DFN5060. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el MSJAC11N65Y-TP?

El MSJAC11N65Y-TP se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del MSJAC11N65Y-TP?

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