MOSFET MTB028N10QNCQ8 N-Channel
MOSFET N-Channel — Encapsulado SOP8 — Vds=100V, Id=6.6A, RDSon=0.025Ω, 3.1W
Parametros principales
| Package | SOP8 |
| tr - Rise Time | 22.8 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 90 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 6.6 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 3.1 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.025 Ohm |
¿Que es el MTB028N10QNCQ8?
El MTB028N10QNCQ8 es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado SOP8. Soporta hasta 100V entre drain y source con una corriente maxima de 6.6A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.025 Ohm.
Los MOSFET como el MTB028N10QNCQ8 se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el MTB028N10QNCQ8
¿Que tipo de transistor es el MTB028N10QNCQ8?
El MTB028N10QNCQ8 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOP8. Sus parametros principales son: Vds=100V, Id=6.6A, RDSon=0.025Ω, 3.1W.
¿Cual es el voltaje maximo del MTB028N10QNCQ8?
El MTB028N10QNCQ8 soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el MTB028N10QNCQ8?
El MTB028N10QNCQ8 viene en encapsulado SOP8. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el MTB028N10QNCQ8?
El MTB028N10QNCQ8 se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
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