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MOS
FET

MOSFET MTB30N06VL N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado D2PAK — Vds=60V, Id=30A, RDSon=0.05Ω, 90W

MOSFET N-Channel D2PAK 90.000 W

Parametros principales

Vds Max 60 V

Id Max 30 A

RDSon 0.05 Ω

Vgs Max 15 V

Potencia 90 W

Tj Max 150 °C

Especificaciones completas ▼

Package	D2PAK
Type of Control Channel	N-Channel
Coss - Output Capacitance	1130 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	30 A
Pd - Maximum Power Dissipation	90 W
Tj - Maximum Junction Temperature	150 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	15 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	60 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.05 Ohm

¿Que es el MTB30N06VL?

El MTB30N06VL es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado D2PAK. Soporta hasta 60V entre drain y source con una corriente maxima de 30A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.05 Ohm.

Los MOSFET como el MTB30N06VL se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

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Preguntas frecuentes sobre el MTB30N06VL

¿Que tipo de transistor es el MTB30N06VL?

El MTB30N06VL es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado D2PAK. Sus parametros principales son: Vds=60V, Id=30A, RDSon=0.05Ω, 90W.

¿Cual es el voltaje maximo del MTB30N06VL?

El MTB30N06VL soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 15V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el MTB30N06VL?

El MTB30N06VL viene en encapsulado D2PAK. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el MTB30N06VL?

El MTB30N06VL se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del MTB30N06VL?

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