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MOS
FET

MOSFET MTB4D0N03ATV8 N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado DFN3X3 — Vds=30V, Id=15A, RDSon=0.0047Ω, 21W

MOSFET N-Channel DFN3X3 21.000 W

Parametros principales

Vds Max 30 V

Id Max 15 A

RDSon 0.0047 Ω

Vgs Max 20 V

Potencia 21 W

Tj Max 150 °C

Especificaciones completas ▼

Package	DFN3X3
tr - Rise Time	11 nS
Type of Control Channel	N-Channel
Coss - Output Capacitance	299 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	15 A
Pd - Maximum Power Dissipation	21 W
Tj - Maximum Junction Temperature	150 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	20 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	30 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.0047 Ohm

Transistores equivalentes y compatibles

Los siguientes transistores pueden usarse como reemplazo del MTB4D0N03ATV8:

2SK701 MOSFET N-Channel 2SK702 MOSFET N-Channel 2SK703 MOSFET N-Channel 2SK704 MOSFET N-Channel 2SK705 MOSFET N-Channel 2SK709 MOSFET N-Channel 2SK711 MOSFET N-Channel MTB45A06Q8 MOSFET N-Channel MTB4D0N03ATH8 MOSFET N-Channel MTB55N03J3 MOSFET N-Channel MTB55N03N3 MOSFET N-Channel MTB55N06Q8 MOSFET N-Channel MTB55N10J3 MOSFET N-Channel MTB55N10Q8 MOSFET N-Channel MTB600N03N3 MOSFET N-Channel MTB60A06Q8 MOSFET N-Channel

¿Que es el MTB4D0N03ATV8?

El MTB4D0N03ATV8 es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado DFN3X3. Soporta hasta 30V entre drain y source con una corriente maxima de 15A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.0047 Ohm.

Los MOSFET como el MTB4D0N03ATV8 se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

Si necesitas comparar parametros con los equivalentes, usa nuestro comparador lado a lado. Tambien podes explorar todos los transistores MOSFET disponibles.

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Preguntas frecuentes sobre el MTB4D0N03ATV8

¿Con que transistor puedo reemplazar el MTB4D0N03ATV8?

Los reemplazos compatibles para el MTB4D0N03ATV8 incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, MTB45A06Q8, MTB4D0N03ATH8, MTB55N03J3, y 6 mas. Verifica que los parametros clave (voltaje, corriente, encapsulado) sean compatibles con tu circuito antes de sustituir.

¿Que tipo de transistor es el MTB4D0N03ATV8?

El MTB4D0N03ATV8 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado DFN3X3. Sus parametros principales son: Vds=30V, Id=15A, RDSon=0.0047Ω, 21W.

¿Cual es el voltaje maximo del MTB4D0N03ATV8?

El MTB4D0N03ATV8 soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el MTB4D0N03ATV8?

El MTB4D0N03ATV8 viene en encapsulado DFN3X3. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el MTB4D0N03ATV8?

El MTB4D0N03ATV8 se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del MTB4D0N03ATV8?

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