MOSFET NCE6602N NP-Channel
MOSFET NP-Channel — Encapsulado SOT23-6L — Vds=30V, Id=2.7A, RDSon=0.095Ω, 1.2W
Parametros principales
| Package | SOT23-6L |
| tr - Rise Time | 1.5 nS |
| Type of Control Channel | NP-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 38 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 2.7 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 1.2 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.095 Ohm |
¿Que es el NCE6602N?
El NCE6602N es un transistor MOSFET de canal NP-Channel en encapsulado SOT23-6L. Soporta hasta 30V entre drain y source con una corriente maxima de 2.7A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.095 Ohm.
Los MOSFET como el NCE6602N se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el NCE6602N
¿Que tipo de transistor es el NCE6602N?
El NCE6602N es un transistor MOSFET NP-Channel en encapsulado SOT23-6L. Sus parametros principales son: Vds=30V, Id=2.7A, RDSon=0.095Ω, 1.2W.
¿Cual es el voltaje maximo del NCE6602N?
El NCE6602N soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el NCE6602N?
El NCE6602N viene en encapsulado SOT23-6L. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el NCE6602N?
El NCE6602N se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
¿Es gratis consultar los datos del NCE6602N?
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