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MOS
FET

MOSFET NDB7050 N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado TO263 — Vds=50V, Id=75A, RDSon=0.013Ω, 150W

MOSFET N-Channel TO263 150.000 W

Parametros principales

Vds Max 50 V

Id Max 75 A

RDSon 0.013 Ω

Potencia 150 W

Tj Max 150 °C

Especificaciones completas ▼

Package	TO263
Type of Control Channel	N-Channel
\|Id\| - Maximum Drain Current	75 A
Pd - Maximum Power Dissipation	150 W
Tj - Maximum Junction Temperature	150 °C
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	50 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.013 Ohm

¿Que es el NDB7050?

El NDB7050 es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado TO263. Soporta hasta 50V entre drain y source con una corriente maxima de 75A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.013 Ohm.

Los MOSFET como el NDB7050 se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

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Preguntas frecuentes sobre el NDB7050

¿Que tipo de transistor es el NDB7050?

El NDB7050 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO263. Sus parametros principales son: Vds=50V, Id=75A, RDSon=0.013Ω, 150W.

¿Cual es el voltaje maximo del NDB7050?

El NDB7050 soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 50V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el NDB7050?

El NDB7050 viene en encapsulado TO263. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el NDB7050?

El NDB7050 se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

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