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MOS
FET

MOSFET NDP608BE N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado TO-220 — Vds=80V, Id=32A, RDSon=0.045Ω, 100W

MOSFET N-Channel TO-220 100.000 W

Parametros principales

Vds Max 80 V

Id Max 32 A

RDSon 0.045 Ω

Vgs Max 20 V

Potencia 100 W

Tj Max 175 °C

Especificaciones completas ▼

Package	TO-220
tr - Rise Time	113 nS
Type of Control Channel	N-Channel
Coss - Output Capacitance	390 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	32 A
Pd - Maximum Power Dissipation	100 W
Tj - Maximum Junction Temperature	175 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	20 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	80 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.045 Ohm

¿Que es el NDP608BE?

El NDP608BE es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado TO-220. Soporta hasta 80V entre drain y source con una corriente maxima de 32A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.045 Ohm.

Los MOSFET como el NDP608BE se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

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Preguntas frecuentes sobre el NDP608BE

¿Que tipo de transistor es el NDP608BE?

El NDP608BE es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-220. Sus parametros principales son: Vds=80V, Id=32A, RDSon=0.045Ω, 100W.

¿Cual es el voltaje maximo del NDP608BE?

El NDP608BE soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 80V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el NDP608BE?

El NDP608BE viene en encapsulado TO-220. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el NDP608BE?

El NDP608BE se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del NDP608BE?

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