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MOS
FET

MOSFET NDS356AP P-Channel

MOSFET P-Channel — Encapsulado SUPERSOT3 — Vds=30V, Id=1.1A, RDSon=0.2Ω, 0.5W

MOSFET P-Channel SUPERSOT3 0.500 W

Parametros principales

Vds Max 30 V

Id Max 1.1 A

RDSon 0.2 Ω

Vgs Max 20 V

Potencia 0.5 W

Tj Max 150 °C

Especificaciones completas ▼

Package	SUPERSOT3
Type of Control Channel	P-Channel
\|Id\| - Maximum Drain Current	1.1 A
Pd - Maximum Power Dissipation	0.5 W
Tj - Maximum Junction Temperature	150 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	20 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	30 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.2 Ohm

¿Que es el NDS356AP?

El NDS356AP es un transistor MOSFET de canal P-Channel en encapsulado SUPERSOT3. Soporta hasta 30V entre drain y source con una corriente maxima de 1.1A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.2 Ohm.

Los MOSFET como el NDS356AP se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

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Preguntas frecuentes sobre el NDS356AP

¿Que tipo de transistor es el NDS356AP?

El NDS356AP es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado SUPERSOT3. Sus parametros principales son: Vds=30V, Id=1.1A, RDSon=0.2Ω, 0.5W.

¿Cual es el voltaje maximo del NDS356AP?

El NDS356AP soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el NDS356AP?

El NDS356AP viene en encapsulado SUPERSOT3. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el NDS356AP?

El NDS356AP se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del NDS356AP?

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