MOSFET NTH4L027N65S3F N-Channel
MOSFET N-Channel — Encapsulado TO-247-4LD — Vds=650V, Id=75A, RDSon=0.0274Ω, 595W
Parametros principales
| Package | TO-247-4LD |
| tr - Rise Time | 26 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 200 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 75 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 595 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 650 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.0274 Ohm |
¿Que es el NTH4L027N65S3F?
El NTH4L027N65S3F es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado TO-247-4LD. Soporta hasta 650V entre drain y source con una corriente maxima de 75A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.0274 Ohm.
Los MOSFET como el NTH4L027N65S3F se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el NTH4L027N65S3F
¿Que tipo de transistor es el NTH4L027N65S3F?
El NTH4L027N65S3F es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-247-4LD. Sus parametros principales son: Vds=650V, Id=75A, RDSon=0.0274Ω, 595W.
¿Cual es el voltaje maximo del NTH4L027N65S3F?
El NTH4L027N65S3F soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 650V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 30V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el NTH4L027N65S3F?
El NTH4L027N65S3F viene en encapsulado TO-247-4LD. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el NTH4L027N65S3F?
El NTH4L027N65S3F se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
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