MOSFET NTTFS8D1N08H N-Channel
MOSFET N-Channel — Encapsulado WDFN8 — Vds=80V, Id=61A, RDSon=0.0083Ω, 63W
Parametros principales
| Package | WDFN8 |
| tr - Rise Time | 13 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 776 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 61 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 63 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 80 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.0083 Ohm |
¿Que es el NTTFS8D1N08H?
El NTTFS8D1N08H es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado WDFN8. Soporta hasta 80V entre drain y source con una corriente maxima de 61A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.0083 Ohm.
Los MOSFET como el NTTFS8D1N08H se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el NTTFS8D1N08H
¿Que tipo de transistor es el NTTFS8D1N08H?
El NTTFS8D1N08H es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado WDFN8. Sus parametros principales son: Vds=80V, Id=61A, RDSon=0.0083Ω, 63W.
¿Cual es el voltaje maximo del NTTFS8D1N08H?
El NTTFS8D1N08H soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 80V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el NTTFS8D1N08H?
El NTTFS8D1N08H viene en encapsulado WDFN8. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el NTTFS8D1N08H?
El NTTFS8D1N08H se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
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