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MOS
FET

MOSFET NUS5531MT P-Channel

MOSFET P-Channel — Encapsulado WDFN8 — Vds=12V, Id=5.47A, RDSon=0.04Ω, 1.46W

MOSFET P-Channel WDFN8 1.460 W

Parametros principales

Vds Max 12 V

Id Max 5.47 A

RDSon 0.04 Ω

Vgs Max 8 V

Potencia 1.46 W

Tj Max 150 °C

Especificaciones completas ▼

Package	WDFN8
tr - Rise Time	17.5 nS
Type of Control Channel	P-Channel
Coss - Output Capacitance	200 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	5.47 A
Pd - Maximum Power Dissipation	1.46 W
Tj - Maximum Junction Temperature	150 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	8 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	12 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.04 Ohm

Transistores equivalentes y compatibles

Los siguientes transistores pueden usarse como reemplazo del NUS5531MT:

NTZD3152P MOSFET P-Channel NTZS3151P MOSFET P-Channel NUS3116MT MOSFET P-Channel NUS5530MN MOSFET P-Channel

¿Que es el NUS5531MT?

El NUS5531MT es un transistor MOSFET de canal P-Channel en encapsulado WDFN8. Soporta hasta 12V entre drain y source con una corriente maxima de 5.47A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.04 Ohm.

Los MOSFET como el NUS5531MT se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

Si necesitas comparar parametros con los equivalentes, usa nuestro comparador lado a lado. Tambien podes explorar todos los transistores MOSFET disponibles.

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Preguntas frecuentes sobre el NUS5531MT

¿Con que transistor puedo reemplazar el NUS5531MT?

Los reemplazos compatibles para el NUS5531MT incluyen: NTZD3152P, NTZS3151P, NUS3116MT, NUS5530MN. Verifica que los parametros clave (voltaje, corriente, encapsulado) sean compatibles con tu circuito antes de sustituir.

¿Que tipo de transistor es el NUS5531MT?

El NUS5531MT es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado WDFN8. Sus parametros principales son: Vds=12V, Id=5.47A, RDSon=0.04Ω, 1.46W.

¿Cual es el voltaje maximo del NUS5531MT?

El NUS5531MT soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 12V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 8V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el NUS5531MT?

El NUS5531MT viene en encapsulado WDFN8. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el NUS5531MT?

El NUS5531MT se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del NUS5531MT?

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