MOSFET NVMD6N03R2G N-Channel
MOSFET N-Channel — Encapsulado SOIC-8 — Vds=30V, Id=6A, RDSon=0.032Ω, 2W
Parametros principales
| Package | SOIC-8 |
| tr - Rise Time | 22 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 210 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 6 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 2 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.032 Ohm |
¿Que es el NVMD6N03R2G?
El NVMD6N03R2G es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado SOIC-8. Soporta hasta 30V entre drain y source con una corriente maxima de 6A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.032 Ohm.
Los MOSFET como el NVMD6N03R2G se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el NVMD6N03R2G
¿Que tipo de transistor es el NVMD6N03R2G?
El NVMD6N03R2G es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOIC-8. Sus parametros principales son: Vds=30V, Id=6A, RDSon=0.032Ω, 2W.
¿Cual es el voltaje maximo del NVMD6N03R2G?
El NVMD6N03R2G soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el NVMD6N03R2G?
El NVMD6N03R2G viene en encapsulado SOIC-8. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el NVMD6N03R2G?
El NVMD6N03R2G se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
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