MOSFET NVMFS4C302N N-Channel
MOSFET N-Channel — Encapsulado SO8FL — Vds=30V, Id=241A, RDSon=0.0015Ω, 115W
Parametros principales
| Package | SO8FL |
| tr - Rise Time | 18 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 2320 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 241 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 115 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 175 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.0015 Ohm |
¿Que es el NVMFS4C302N?
El NVMFS4C302N es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado SO8FL. Soporta hasta 30V entre drain y source con una corriente maxima de 241A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.0015 Ohm.
Los MOSFET como el NVMFS4C302N se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el NVMFS4C302N
¿Que tipo de transistor es el NVMFS4C302N?
El NVMFS4C302N es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SO8FL. Sus parametros principales son: Vds=30V, Id=241A, RDSon=0.0015Ω, 115W.
¿Cual es el voltaje maximo del NVMFS4C302N?
El NVMFS4C302N soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el NVMFS4C302N?
El NVMFS4C302N viene en encapsulado SO8FL. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el NVMFS4C302N?
El NVMFS4C302N se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
¿Es gratis consultar los datos del NVMFS4C302N?
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