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MOS
FET

MOSFET NX1029X NP-Channel

MOSFET NP-Channel — Encapsulado SOT666 — Vds=60V, Id=0.33A, RDSon=1.6Ω, 0.33W

MOSFET NP-Channel SOT666 0.330 W

Parametros principales

Vds Max 60 V

Id Max 0.33 A

RDSon 1.6 Ω

Vgs Max 20 V

Potencia 0.33 W

Tj Max 150 °C

Especificaciones completas ▼

Package	SOT666
tr - Rise Time	11 nS
Type of Control Channel	NP-Channel
Coss - Output Capacitance	4.5 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	0.33 A
Pd - Maximum Power Dissipation	0.33 W
Tj - Maximum Junction Temperature	150 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	20 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	60 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	1.6 Ohm

¿Que es el NX1029X?

El NX1029X es un transistor MOSFET de canal NP-Channel en encapsulado SOT666. Soporta hasta 60V entre drain y source con una corriente maxima de 0.33A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 1.6 Ohm.

Los MOSFET como el NX1029X se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

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Preguntas frecuentes sobre el NX1029X

¿Que tipo de transistor es el NX1029X?

El NX1029X es un transistor MOSFET NP-Channel en encapsulado SOT666. Sus parametros principales son: Vds=60V, Id=0.33A, RDSon=1.6Ω, 0.33W.

¿Cual es el voltaje maximo del NX1029X?

El NX1029X soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el NX1029X?

El NX1029X viene en encapsulado SOT666. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el NX1029X?

El NX1029X se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del NX1029X?

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