MOSFET OM3N100ST N-Channel
MOSFET N-Channel — Encapsulado TO257AA — Vds=1,000V, Id=3.5A, RDSon=5.4Ω, 90W
Parametros principales
| Package | TO257AA |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 950 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 3.5 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 90 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 1000 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 5.4 Ohm |
¿Que es el OM3N100ST?
El OM3N100ST es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado TO257AA. Soporta hasta 1,000V entre drain y source con una corriente maxima de 3.5A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 5.4 Ohm.
Los MOSFET como el OM3N100ST se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el OM3N100ST
¿Que tipo de transistor es el OM3N100ST?
El OM3N100ST es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO257AA. Sus parametros principales son: Vds=1,000V, Id=3.5A, RDSon=5.4Ω, 90W.
¿Cual es el voltaje maximo del OM3N100ST?
El OM3N100ST soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 1,000V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el OM3N100ST?
El OM3N100ST viene en encapsulado TO257AA. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el OM3N100ST?
El OM3N100ST se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
¿Es gratis consultar los datos del OM3N100ST?
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