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MOS
FET

MOSFET PH3855L N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado LFPAK — Vds=55V, Id=24A, RDSon=0.036Ω, 50W

MOSFET N-Channel LFPAK 50.000 W

Parametros principales

Vds Max 55 V

Id Max 24 A

RDSon 0.036 Ω

Vgs Max 15 V

Potencia 50 W

Tj Max 175 °C

Especificaciones completas ▼

Package	LFPAK
tr - Rise Time	93 nS
Type of Control Channel	N-Channel
Coss - Output Capacitance	125 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	24 A
Pd - Maximum Power Dissipation	50 W
Tj - Maximum Junction Temperature	175 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	15 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	55 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.036 Ohm

¿Que es el PH3855L?

El PH3855L es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado LFPAK. Soporta hasta 55V entre drain y source con una corriente maxima de 24A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.036 Ohm.

Los MOSFET como el PH3855L se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

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Preguntas frecuentes sobre el PH3855L

¿Que tipo de transistor es el PH3855L?

El PH3855L es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado LFPAK. Sus parametros principales son: Vds=55V, Id=24A, RDSon=0.036Ω, 50W.

¿Cual es el voltaje maximo del PH3855L?

El PH3855L soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 55V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 15V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el PH3855L?

El PH3855L viene en encapsulado LFPAK. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el PH3855L?

El PH3855L se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del PH3855L?

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