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MOS
FET

MOSFET PH8230E N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado LFPAK — Vds=30V, Id=67A, RDSon=0.0082Ω, 62.5W

MOSFET N-Channel LFPAK 62.500 W

Parametros principales

Vds Max 30 V

Id Max 67 A

RDSon 0.0082 Ω

Vgs Max 20 V

Potencia 62.5 W

Tj Max 150 °C

Especificaciones completas ▼

Package	LFPAK
tr - Rise Time	44 nS
Type of Control Channel	N-Channel
Coss - Output Capacitance	527 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	67 A
Pd - Maximum Power Dissipation	62.5 W
Tj - Maximum Junction Temperature	150 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	20 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	30 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.0082 Ohm

¿Que es el PH8230E?

El PH8230E es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado LFPAK. Soporta hasta 30V entre drain y source con una corriente maxima de 67A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.0082 Ohm.

Los MOSFET como el PH8230E se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

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Preguntas frecuentes sobre el PH8230E

¿Que tipo de transistor es el PH8230E?

El PH8230E es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado LFPAK. Sus parametros principales son: Vds=30V, Id=67A, RDSon=0.0082Ω, 62.5W.

¿Cual es el voltaje maximo del PH8230E?

El PH8230E soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el PH8230E?

El PH8230E viene en encapsulado LFPAK. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el PH8230E?

El PH8230E se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del PH8230E?

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