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MOS
FET

MOSFET PHB6ND50E N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado SOT404 — Vds=500V, Id=5.9A, RDSon=1.5Ω, 125W

MOSFET N-Channel SOT404 125.000 W

Parametros principales

Vds Max 500 V

Id Max 5.9 A

RDSon 1.5 Ω

Potencia 125 W

Tj Max 150 °C

Especificaciones completas ▼

Package	SOT404
Type of Control Channel	N-Channel
\|Id\| - Maximum Drain Current	5.9 A
Pd - Maximum Power Dissipation	125 W
Tj - Maximum Junction Temperature	150 °C
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	500 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	1.5 Ohm

¿Que es el PHB6ND50E?

El PHB6ND50E es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado SOT404. Soporta hasta 500V entre drain y source con una corriente maxima de 5.9A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 1.5 Ohm.

Los MOSFET como el PHB6ND50E se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

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Preguntas frecuentes sobre el PHB6ND50E

¿Que tipo de transistor es el PHB6ND50E?

El PHB6ND50E es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOT404. Sus parametros principales son: Vds=500V, Id=5.9A, RDSon=1.5Ω, 125W.

¿Cual es el voltaje maximo del PHB6ND50E?

El PHB6ND50E soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 500V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el PHB6ND50E?

El PHB6ND50E viene en encapsulado SOT404. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el PHB6ND50E?

El PHB6ND50E se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del PHB6ND50E?

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