MOSFET PHD16N03T N-Channel
MOSFET N-Channel — Encapsulado DPAK — Vds=30V, Id=13.1A, RDSon=0.1Ω, 32.6W
Parametros principales
| Package | DPAK |
| tr - Rise Time | 45 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 85 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 13.1 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 32.6 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 175 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.1 Ohm |
¿Que es el PHD16N03T?
El PHD16N03T es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado DPAK. Soporta hasta 30V entre drain y source con una corriente maxima de 13.1A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.1 Ohm.
Los MOSFET como el PHD16N03T se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el PHD16N03T
¿Que tipo de transistor es el PHD16N03T?
El PHD16N03T es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado DPAK. Sus parametros principales son: Vds=30V, Id=13.1A, RDSon=0.1Ω, 32.6W.
¿Cual es el voltaje maximo del PHD16N03T?
El PHD16N03T soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el PHD16N03T?
El PHD16N03T viene en encapsulado DPAK. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el PHD16N03T?
El PHD16N03T se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
¿Es gratis consultar los datos del PHD16N03T?
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