✦

Toda la info tecnica en InfoSquad es 100% gratis. — Parametros, equivalentes, datasheets y mas de 33.000 archivos sin costo.

MOS
FET

MOSFET PHD2N60E N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado SOT428 — Vds=600V, Id=1.9A, RDSon=6Ω, 50W

MOSFET N-Channel SOT428 50.000 W

Parametros principales

Vds Max 600 V

Id Max 1.9 A

RDSon 6 Ω

Potencia 50 W

Tj Max 150 °C

Especificaciones completas ▼

Package	SOT428
Type of Control Channel	N-Channel
\|Id\| - Maximum Drain Current	1.9 A
Pd - Maximum Power Dissipation	50 W
Tj - Maximum Junction Temperature	150 °C
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	600 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	6 Ohm

¿Que es el PHD2N60E?

El PHD2N60E es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado SOT428. Soporta hasta 600V entre drain y source con una corriente maxima de 1.9A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 6 Ohm.

Los MOSFET como el PHD2N60E se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

Explora todos los transistores MOSFET en nuestra base de datos, o busca BIOS y schematics en la biblioteca de descargas.

Registrate gratis y accede a todo

BIOS, schematics, boardviews, cursos y foro. Todo sin costo, sin trucos.

✓ +33.000 archivos ✓ Cursos gratis ✓ Foro de tecnicos

Crear cuenta gratis →

🔓 ¿Por que es gratis de verdad?

● Somos un servicio tecnico real con +20 años de experiencia en reparacion electronica.

● Estos datos los usamos en nuestro taller. Los compartimos porque a nosotros tambien nos ayudaron.

● No hay plan premium, ni creditos, ni monedas virtuales. Cero trucos.

● Nuestro ingreso es la reparacion de equipos, no tu suscripcion.

Servicio tecnico especializado

¿Necesitas que lo reparemos nosotros?

Si preferis que un profesional se encargue, hacemos reparacion a nivel de componentes: micro-soldadura, reballing, cambio de chips, recuperacion de equipos que no encienden.

Notebooks y MacBooks Micro-soldadura SMD Envios a todo el pais +20 años de experiencia

Consultar por WhatsApp →

🔧

Mas recursos gratuitos en InfoSquad

📁

Biblioteca de descargas

BIOS, schematics, boardviews y datasheets de cientos de modelos.

gratis

⚖

Comparador de transistores

Compara parametros lado a lado y encuentra el reemplazo ideal.

gratis

💬

Foro de la comunidad

Pregunta, comparti casos y aprende con otros tecnicos.

gratis

Preguntas frecuentes sobre el PHD2N60E

¿Que tipo de transistor es el PHD2N60E?

El PHD2N60E es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOT428. Sus parametros principales son: Vds=600V, Id=1.9A, RDSon=6Ω, 50W.

¿Cual es el voltaje maximo del PHD2N60E?

El PHD2N60E soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 600V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el PHD2N60E?

El PHD2N60E viene en encapsulado SOT428. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el PHD2N60E?

El PHD2N60E se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del PHD2N60E?

Si, toda la informacion tecnica en Academia InfoSquad es 100% gratuita. Parametros, equivalentes y datasheets sin costo ni registro obligatorio. Si te registras (tambien gratis), accedes a mas de 33.000 archivos de BIOS, schematics y boardviews.