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MOS
FET

MOSFET PMPB10EN N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado SOT1220 — Vds=30V, Id=10A, RDSon=0.012Ω, 1.8W

MOSFET N-Channel SOT1220 1.800 W

Parametros principales

Vds Max 30 V

Id Max 10 A

RDSon 0.012 Ω

Vgs Max 20 V

Potencia 1.8 W

Tj Max 150 °C

Especificaciones completas ▼

Package	SOT1220
tr - Rise Time	10 nS
Type of Control Channel	N-Channel
Coss - Output Capacitance	155 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	10 A
Pd - Maximum Power Dissipation	1.8 W
Tj - Maximum Junction Temperature	150 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	20 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	30 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.012 Ohm

¿Que es el PMPB10EN?

El PMPB10EN es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado SOT1220. Soporta hasta 30V entre drain y source con una corriente maxima de 10A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.012 Ohm.

Los MOSFET como el PMPB10EN se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

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Preguntas frecuentes sobre el PMPB10EN

¿Que tipo de transistor es el PMPB10EN?

El PMPB10EN es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOT1220. Sus parametros principales son: Vds=30V, Id=10A, RDSon=0.012Ω, 1.8W.

¿Cual es el voltaje maximo del PMPB10EN?

El PMPB10EN soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el PMPB10EN?

El PMPB10EN viene en encapsulado SOT1220. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el PMPB10EN?

El PMPB10EN se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

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