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MOS
FET

MOSFET PMPB25ENE N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado SOT1220 — Vds=30V, Id=7.2A, RDSon=0.024Ω, 2.1W

MOSFET N-Channel SOT1220 2.100 W

Parametros principales

Vds Max 30 V

Id Max 7.2 A

RDSon 0.024 Ω

Vgs Max 20 V

Potencia 2.1 W

Tj Max 175 °C

Especificaciones completas ▼

Package	SOT1220
tr - Rise Time	29 nS
Type of Control Channel	N-Channel
Coss - Output Capacitance	113 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	7.2 A
Pd - Maximum Power Dissipation	2.1 W
Tj - Maximum Junction Temperature	175 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	20 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	30 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.024 Ohm

¿Que es el PMPB25ENE?

El PMPB25ENE es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado SOT1220. Soporta hasta 30V entre drain y source con una corriente maxima de 7.2A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.024 Ohm.

Los MOSFET como el PMPB25ENE se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

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Preguntas frecuentes sobre el PMPB25ENE

¿Que tipo de transistor es el PMPB25ENE?

El PMPB25ENE es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOT1220. Sus parametros principales son: Vds=30V, Id=7.2A, RDSon=0.024Ω, 2.1W.

¿Cual es el voltaje maximo del PMPB25ENE?

El PMPB25ENE soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el PMPB25ENE?

El PMPB25ENE viene en encapsulado SOT1220. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el PMPB25ENE?

El PMPB25ENE se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

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