MOSFET PMXB65UPE P-Channel
MOSFET P-Channel — Encapsulado DFN1010D-3 — Vds=12V, Id=3.2A, RDSon=0.072Ω, 0.317W
Parametros principales
| Package | DFN1010D-3 |
| tr - Rise Time | 22 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 167 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 3.2 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.317 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 8 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 12 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.072 Ohm |
¿Que es el PMXB65UPE?
El PMXB65UPE es un transistor MOSFET de canal P-Channel en encapsulado DFN1010D-3. Soporta hasta 12V entre drain y source con una corriente maxima de 3.2A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.072 Ohm.
Los MOSFET como el PMXB65UPE se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el PMXB65UPE
¿Que tipo de transistor es el PMXB65UPE?
El PMXB65UPE es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado DFN1010D-3. Sus parametros principales son: Vds=12V, Id=3.2A, RDSon=0.072Ω, 0.317W.
¿Cual es el voltaje maximo del PMXB65UPE?
El PMXB65UPE soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 12V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 8V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el PMXB65UPE?
El PMXB65UPE viene en encapsulado DFN1010D-3. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el PMXB65UPE?
El PMXB65UPE se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
¿Es gratis consultar los datos del PMXB65UPE?
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