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MOS
FET

MOSFET PNM523T703E0-2 N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado SOT-523 — Vds=40V, Id=0.18A, RDSon=3.5Ω, 0.15W

MOSFET N-Channel SOT-523 0.150 W

Parametros principales

Vds Max 40 V

Id Max 0.18 A

RDSon 3.5 Ω

Vgs Max 20 V

Potencia 0.15 W

Especificaciones completas ▼

Package	SOT-523
Type of Control Channel	N-Channel
Coss - Output Capacitance	20 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	0.18 A
Pd - Maximum Power Dissipation	0.15 W
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	20 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	40 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	3.5 Ohm

¿Que es el PNM523T703E0-2?

El PNM523T703E0-2 es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado SOT-523. Soporta hasta 40V entre drain y source con una corriente maxima de 0.18A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 3.5 Ohm.

Los MOSFET como el PNM523T703E0-2 se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

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Preguntas frecuentes sobre el PNM523T703E0-2

¿Que tipo de transistor es el PNM523T703E0-2?

El PNM523T703E0-2 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOT-523. Sus parametros principales son: Vds=40V, Id=0.18A, RDSon=3.5Ω, 0.15W.

¿Cual es el voltaje maximo del PNM523T703E0-2?

El PNM523T703E0-2 soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 40V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el PNM523T703E0-2?

El PNM523T703E0-2 viene en encapsulado SOT-523. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el PNM523T703E0-2?

El PNM523T703E0-2 se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

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