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MOS
FET

MOSFET PP2G10AT N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado TO-220 — Vds=100V, Id=183A, RDSon=0.003Ω, 214W

MOSFET N-Channel TO-220 214.000 W

Parametros principales

Vds Max 100 V

Id Max 183 A

RDSon 0.003 Ω

Vgs Max 20 V

Potencia 214 W

Tj Max 175 °C

Especificaciones completas ▼

Package	TO-220
tr - Rise Time	72 nS
Type of Control Channel	N-Channel
Coss - Output Capacitance	1241 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	183 A
Pd - Maximum Power Dissipation	214 W
Tj - Maximum Junction Temperature	175 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	20 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	100 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.00298 Ohm

Transistores equivalentes y compatibles

Los siguientes transistores pueden usarse como reemplazo del PP2G10AT:

¿Que es el PP2G10AT?

El PP2G10AT es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado TO-220. Soporta hasta 100V entre drain y source con una corriente maxima de 183A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.003 Ohm.

Los MOSFET como el PP2G10AT se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

Si necesitas comparar parametros con los equivalentes, usa nuestro comparador lado a lado. Tambien podes explorar todos los transistores MOSFET disponibles.

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Preguntas frecuentes sobre el PP2G10AT

¿Con que transistor puedo reemplazar el PP2G10AT?

Los reemplazos compatibles para el PP2G10AT incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, IRF520, PP1410AK, PP1515AD, y 14 mas. Verifica que los parametros clave (voltaje, corriente, encapsulado) sean compatibles con tu circuito antes de sustituir.

¿Que tipo de transistor es el PP2G10AT?

El PP2G10AT es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-220. Sus parametros principales son: Vds=100V, Id=183A, RDSon=0.003Ω, 214W.

¿Cual es el voltaje maximo del PP2G10AT?

El PP2G10AT soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el PP2G10AT?

El PP2G10AT viene en encapsulado TO-220. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el PP2G10AT?

El PP2G10AT se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del PP2G10AT?

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